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2020-08-20
臨界負溫熱敏材料以VO2為基本成分的多晶半導體材料，在68℃附近電阻值發生突變，在狹小的溫區內，電阻值隨溫度的增加而降低3~4個數量級，具有很大的負溫度系數。阻值突變的溫度稱為臨界溫度Tc，不同的材料其臨界溫度Tc不同，如V2O3的臨界溫度為-100℃，Fe304為-150℃，VO2為68℃，Ti305為175℃，V305為140℃。Tc可以通過摻入適當的雜質提高或降低，如在V305中摻入Ge可將其TC降到100~140℃之間，摻入2%的Ge，可使Tc降到120℃左右。在臨界...2020-08-20
PTC熱敏陶瓷1950年荷蘭Hayman等人，在BaTiO3材料中摻入微量元素，如Sb，La，Sm,Gd,Ho等，其常溫電阻率下降到10-2~104cm。與此同時當溫度超過材料的居里溫度，在幾十度溫度范圍內，其電阻率增大4~10個數量級，即產生所謂PTC效應。BaTiO3是一種典型的鈣鈦礦結構。BaTiO3系半導體陶瓷的制造方法與一般的電子陶瓷材料基本相同。只是對原材料的純度、摻雜成分的均勻性及工藝過程的控制有較高的要求。持別是BaTiO3半導體陶瓷與金屬銀電極的接觸面電阻可...2020-08-19
半導體的導電，主要是由電子和空穴造成的。溫度增加，使電子動能增大，造成晶體中自由電子和空穴數目增加，因而使電導率升高。通常情況下電導率與溫度的關系為電阻率與溫度的關系為式中，B為與材料有關的常數，表示材料的電導活化能。某些材料的B值很大，它在感受微弱溫度變化時電阻率的變化十分明顯。有一類半導體陶瓷材料，在特定的溫度附近電阻率變化顯著。如“摻雜”的BaTiO3(添加稀土金屬氧化物)在其居里點附近，當發生相變時電阻率劇增103~106數量級。利用半導體陶瓷的電阻值對溫度的敏感特性...2020-08-18
半導體的能帶結構如圖4.2-23所示，下面是已被價電子占滿的允帶，中間為禁帶，上面是空帶。因此，在外電場作用下不能導電，但是這是零度時的情況。當外界條件發生變化時，例如溫度升高和有光照射時，滿帶中有少量電子有可能被激發到上面的空帶中去，在外電場作用下，這些電子將參與導電。同時，滿帶中由于少了一些電子，在滿帶頂部附近出現了一些空的量子狀態，滿帶變成了部分占滿的能帶，在外電場的作用下，仍留在滿帶中的電子也能夠起導電作用。滿帶電子的這種導電作用等效于把這些空的量子狀態看作帶正電荷的...2020-08-18
抗電強度是絕緣材料的一個重要性能指標，因其數值受多種因素影響，為便于比較，必須在特定的條件下進行。國標GB/T1408.1-1999規定了固體電工材料工頻擊穿電壓、擊穿場強和耐電壓的實驗方法。對試樣的尺寸、電極形狀、加壓方式等都作了規定，其中擊穿電壓采用“連續均勻升壓法”或“一分鐘逐級升壓法”進行，電壓由低至高，使試樣被擊穿的電壓即為擊穿電壓U穿，擊穿強度量E穿可由式求出。耐電壓為試樣在一定電壓作用下，在規定的時間內沒有發生擊穿的電壓值和時間，分別以kV和min為單位。試驗電...2020-08-14
長期運行在高溫、潮濕、高電壓或腐蝕性氣體環境下的絕緣材料往往會發生化學擊穿。化學擊穿和材料內部的電解、腐蝕、氧化、還原、氣孔中氣體電離等一系列不可逆變化有很大的關系，并且需要相當長時間，材料被“老化”，逐漸喪失絕緣性能，后導致被擊穿而破壞。化學擊穿有兩種主要機理：一種是在直流和低頻交變電壓下，由于離子式電導引起電解過程，材料中發生電還原作用，使材料的電導損耗急劇上升，后由于強烈發熱成為熱化學擊穿。這種情況以含堿金屬氧化物的鋁硅酸鹽陶瓷為甚。在較高溫度和高壓直流或低頻電場下運行...
京公網安備11011302007502號